DF-SBD
Fabrication wafer diamants semi-conducteurs
DF-SBD

Value-added wafer ready for processing.
Suitable for the fabrication of Schottky diodes and other devices.
Crystal orientation: (100)

  • “Heavily doped p++ layer: 0.5µm (±5%)
  • Lightly doped p layer: from 0.4µm to 10µm (±10%)
  • Heavily doped p++ : >5×10 20 cm -3
  • Lightly doped p layer : from 5×10 14 to 1×10 18 cm -3
Adrien P.
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Le DF-SBD a transformé notre conception électronique. La vitesse de commutation élevée et la résistance thermique exceptionnelle ont considérablement amélioré les performances de nos produits !
Laura K.
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En tant qu'ingénieur en aérospatiale, la fiabilité est essentielle. Le DF-SBD a dépassé nos attentes en termes de durabilité et de stabilité, ce qui en fait la diode idéale pour nos applications critiques.
Thomas P.
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La conductivité thermique du DF-SBD a résolu nos problèmes de dissipation de chaleur. Nos systèmes fonctionnent plus efficacement, avec une fiabilité exceptionnelle.
Samantha O.
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Un très bon wafer de diamant proposée par DIAMFAB. Cette entreprise est fiable et énergique.
Stephan S
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Je n’hésiterai pas à revenir vers cette entreprise. Cette société maîtrise parfaitement leurs produits.
FAQ

The DF-SBD, or Diamond Film – Schottky Barrier Diode, is an innovative semiconductor device that uses a diamond film to create a Schottky barrier. This enables exceptional electronic performance, with high thermal resistance and low power loss.

DF-SBD offers advantages such as higher switching speed, increased durability, exceptional thermal conductivity and improved energy efficiency compared with conventional diodes.

The DF-SBD has applications in fields such as power electronics, frequency converters, aerospace and other industries requiring high-performance electronic components.

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