DF-FET - DIAMFAB - Leading Semiconductor Diamond Product

DF-FET

Value-added wafer ready for processing.
Suited for the fabrication of field-effect transistors and other undisclosed devices.
Crystal orientation : (100)

Thickness

Lightly doped layer p: from 0.4µm to 10µm (±10%)

Doping (Boron)

Lightly doped p-layer : from 5×10 ¹⁴ to 1×10 ¹⁸ cm ^-3

Le DF-FET a révolutionné notre électronique de communication. Sa faible consommation d'énergie et sa haute fiabilité en font le transistor idéal pour les applications sans fil. Un choix judicieux pour les circuits intégrés haute fréquence

En tant que chercheuse en électronique, j'apprécie la haute mobilité des porteurs de charge du DF-FET. Cela a considérablement amélioré la performance de nos capteurs de haute précision. Un produit exceptionnel

Le DF-FET offre une performance à haute fréquence remarquable. En tant qu'ingénieur en électronique de communication, c'est devenu notre choix numéro un pour les applications nécessitant une transmission rapide et fiable.

Super entreprise, celle-ci est attentive a vos besoins et envies. Elle fait vraiment passer la volonté du client avant tout.

Très bon produit avec une assez bonne qualité. On ressent le savoir-faire de l’équipe à travers leurs différents conseils.

FAQ

What is the unique feature of the DF-FET?

The DF-FET, or Diamond Film – Field-Effect Transistor, is a field-effect transistor that utilizes a diamond film to enhance electronic performance. It offers excellent thermal stability, low drift of electronic properties, and high carrier mobility.

What are the main advantages of the DF-FET compared to other transistors?

The DF-FET offers advantages such as low power consumption, high reliability, long operational lifespan, and excellent high-frequency performance.

Where can we find applications for DF-FET ?

The DF-FET can be used in applica=ons such as power electronics, highfrequency
integrated circuits, high-precision sensors, and other advanced electronic
devices.

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