Alternance M2 Caractérisation Electrique et Simulation
Description du job

Dans le cadre du développement de notre technologie de pointe, nous recherchons un(e) alternant(e) motivé(e) pour contribuer à l’amélioration des performances de nos composants en diamant destinés à l’électronique de puissance. 

Afin de démontrer la maturité de notre technologie, nous concevons des diodes Schottky capables de délivrer de fortes densités de courant à l’état passant, de supporter des tensions de fonctionnement importantes à l’état bloqué, et sans dégradations à haute température (jusqu’à 300°C). 

Chargé(e) de caractériser électriquement les diodes fabriquées, vous en extrairez les paramètres de fonctionnement à l’état passant comme à l’état bloqué. Vous serez également en charge de simuler le fonctionnement des diodes Schottky via un logiciel de type TCAD, basé sur la méthode des éléments finis. Les paramètres expérimentaux extraits seront utilisés pour calibrer les simulations. La meilleure compréhension du fonctionnement des diodes permettra d’obtenir des valeurs de densité de courant et de tension maximale supérieures à ce qui est déjà obtenu. 

Cette offre d’alternance vous offrira l’opportunité unique de confronter les données expérimentales avec les résultats attendus par la simulation, tout en développant un éventail de compétences techniques à forte valeur ajoutée. 

Vos responsabilités

En plus de profiter d’un environnement géographique privilégié, vous intégrerez DIAMFAB, une start-up à taille humaine, dynamique, multi-spécialiste, et composée de profils variés. 

Vous évoluerez au sein de l’équipe Composants, encadré(e) par Julien BASSALER, ingénieur R&D en caractérisation électrique, et Vishwajeet MAURYA, ingénieur R&D en caractérisation électrique et simulation. Vous travaillerez dans un environnement stimulant, collaboratif et orienté innovation. 

Vos responsabilités principales incluront : 

  • La caractérisation électrique en courant-tension (I-V), capacité-tension (C-V) et capacité-fréquence (C-f) à basses et hautes températures. 
  • L’extraction des paramètres de fonctionnement (résistance à l’état passant, courant de fuite, etc…) 
  • La simulation TCAD de diodes Schottky en diamant. 
  • La comparaison entre des architectures verticales et pseudo-verticales de diodes Schottky. 
  • L’étude qualitative et quantitative des performances des diodes Schottky. 

Vous serez également en charge de : 

  • L’analyse, la synthèse et la présentation de vos résultats. 
  • La rédaction d’un rapport d’alternance. 
Profil attendu
  • Vous êtes actuellement en Bac +4, en formation d’ingénieur ou de Master en Sciences des matériaux, en Électronique ou un domaine similaire. 
  • Vous avez des connaissances en physique des semi-conducteurs et/ou en caractérisation électrique. Une première expérience avec les outils de simulation TCAD est un plus. 
  • Vous êtes rigoureux(se), autonome et avez un esprit analytique. 
  • Un niveau d’anglais B2 au minimum est requis. 
Grenoble/Fontaine - Isère, FRANCE
Alternance
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