Les diodes et transistors fabriqués par DIAMFAB sont composés de couches actives de diamant dopé au bore, déposées par MWCVD (dépôt chimique en phase vapeur assistée par plasma micro-onde) sur des substrats synthétiques commerciaux. Dans le cadre de son activité R&D, l’entreprise cherche à améliorer les caractéristiques de ses composants de puissance en réduisant au maximum les dislocations au sein des couches actives.
Pour observer et mesurer la densité de dislocations affleurantes à la surface des couches de diamant, une méthode destructive de révélation de ces dislocations par gravure sélective a récemment été développée au sein de la startup en collaboration avec le laboratoire SiMaP. C’est dans ce cadre que s’inscrit ce stage.
Le ou la stagiaire travaillera au sein de l’équipe R&D de DIAMFAB. Sa mission consistera à i) poursuivre l’étude de l’influence des paramètres de gravure sur la morphologie et la forme des figures de gravure apparaissant en surface du diamant dans le but d’améliorer les procédé et ii) utiliser les conditions de gravure existante afin de caractériser les couches de diamant épitaxiées au sein de la startup. Pour cela, il-elle sera amené à :
Le ou la stagiaire devra être en Master 2 (ou équivalent) de Sciences de Matériaux, Physique, Chimie ou Génie des Procédés. Une connaissance de certaines techniques mentionnées ci-avant seront un plus. Le ou la stagiaire devra également être rigoureux(se), organisé(e) et intéressé(e) par l’expérimentation.
Une poursuite en thèse CIFRE est possible à l’issue de ce stage.
DIAMFAB
25 avenue des Martyrs
38042 Grenoble Cedex 9
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