Wafer à valeur ajoutée prête à être traitée.
Convient à la fabrication de diodes Schottky et à d’autres appareils.
Orientation du cristal : (100)
- Couche fortement dopée p++ : 0,5µm (±5%)
- Lightly doped layer p: de 0.4µm à 10µm (±10%)
- Couche fortement dopée p++ : >5×10 20 cm -3
- Couche p faiblement dopée : de 5×10 14 à 1×10 18 cm -3
Le DF-SBD, ou Diamond Film – Schottky Barrier Diode, est un dispositif semi-conducteur innovant qui utilise un film de diamant pour créer une barrière Schottky. Cela permet des performances électroniques exceptionnelles, avec une grande résistance thermique et une faible perte de puissance.
Le DF-SBD offre des avantages tels qu’une vitesse de commutation plus élevée, une durabilité accrue, une conductivité thermique exceptionnelle et une efficacité énergétique améliorée par rapport aux diodes conventionnelles.
Le DF-SBD trouve des applications dans des domaines tels que l’électronique de puissance, les convertisseurs de fréquence, l’aérospatiale et d’autres industries nécessitant des composants électroniques performants.