Wafer à valeur ajoutée prête à être traitée
Adaptée à la fabrication de transistors à effet de champ et d’autres dispositifs non répertoriés ici.
Orientation du cristal : (100)
- Lightly doped layer p: de 0.4µm à 10µm (±10%)
- Couche p faiblement dopée : de 5×10 14 à 1×10 18 cm -3
Le DF-FET, ou Diamond Film – Field-Effect Transistor, est un transistor à effet de champ qui utilise un film de diamant pour améliorer les performances électroniques. Il offre une excellente stabilité thermique, une faible dérive des propriétés électroniques et une haute mobilité des porteurs de charge.
Le DF-FET présente des avantages tels qu’une faible consommation d’énergie, une haute fiabilité, une longue durée de vie opérationnelle et une excellente performance à haute fréquence.
Le DF-FET est largement utilisé dans des applications telles que l’électronique de communication, les circuits intégrés haute fréquence, les capteurs de haute précision et d’autres dispositifs électroniques avancés.