Afin de continuer à être un leader de l’électronique de puissance en diamant, l’équipe R&D composants travaille continuellement à l’amélioration de ses composants. L’un des composants que nous développons avec intérêt est le transistor à effet de champ D3MOSFET (Deep Depletion Diamond MOSFET). Une étape importante dans la réalisation du D3MOSFET est la maitrise de l’interface entre le diamant et l’oxyde de grille. Cette interface est liée à la terminaison de surface des couches de diamant. En effet, la terminaison aura un effet sur les propriétés de l’oxyde et de ce fait sur les caractéristiques électriques de nos futurs composants. Durant ce stage, nous proposons de continuer le travail commencé au sein de DIAMFAB en étudiant la terminaison -OH.